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銀燒結:SiC芯片封裝和模塊封裝的核心工藝

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2025年 7月 23日

在電氣化技術加速滲透的背景下,新能源汽車功率模塊面臨功率密度提升、熱管理優(yōu)化和可靠性強化三大挑戰(zhàn)。隨著半導體材料從硅基向碳化硅(SiC)迭代,對封裝互連材料提出了更高要求。近年來,納米銀燒結技術在工業(yè)領域的應用日益廣泛。以電動汽車(EV)為例,第三代半導體器件發(fā)揮著關鍵作用。它不僅能夠顯著縮短電動汽車的充電時間,為用戶帶來更高效的充電體驗,還能提升電機運行的效率,從而實現(xiàn)更強勁的加速性能。同時,第三代半導體具備優(yōu)異的導熱性和耐高溫能力,使電動汽車在極端溫度下依然能夠穩(wěn)定運行,進一步保障整車安全性和可靠性。

如今,第三代半導體芯片正大規(guī)模應用于新能源汽車領域。隨著功率密度的持續(xù)提升,對功率模塊封裝工藝要求也越來越高。毋庸置疑,銀燒結技術是實現(xiàn)包括碳化硅在內的第三代半導體芯片封裝和模塊封裝的核心技術之一!尤其是芯片與陶瓷基板的互連工藝,在很大程度上直接影響著功率模塊的使用壽命和可靠性。

銀燒結技術不僅在功率半導體封裝領域得到了廣泛應用,還能夠拓展至其他多個領域,例如汽車電子、航空航天、LED照明以及微波器件等。關于InFORCE? MF有哪些優(yōu)勢特點呢?讓我們一探究竟。

InFORCE? MF

InFORCE? MF是一款專為第三代半導體芯片加壓燒結設計的高金屬含量銀膏,其金屬比例超過90%,有機成分較低,從而顯著提升了印刷性能。

同時,InFORCE? MF還具有快速預烘干、燒結過程中揮發(fā)物少以及貼裝互連層厚度一致性高等優(yōu)點。

InFORCE?MF:消耗小,成本更低

銦泰公司的燒結材料通常具有較高的金屬比例,例如,91%金屬比例的燒結膏在完成燒結后體積可保留約50%;而某些競爭產(chǎn)品80%金屬比例的燒結膏燒結后體積僅剩約25%。如圖所示,在實現(xiàn)最低30μm燒結層厚度(Dry-BLT)的要求下,銦泰公司燒結膏僅需使用60μm厚度的鋼網(wǎng)即可達成目標。換句話說,在相同Dry-BLT要求下,銦泰公司高金屬比例方案所需的燒結膏體積更小,從而顯著降低整體成本。根據(jù)如下測算結果,選用銦泰公司的銀膏可使成本較競品降低10%,銅膏則可實現(xiàn)50%的成本下降。

<如需InFORCE? MF相關產(chǎn)品資料,請后臺私信我們>

除銀膏之外,銦泰公司還推出了高導熱導電燒結材料——銅燒結膏InFORCE?29。該產(chǎn)品專為加壓燒結應用設計,可在氮氣、真空、甲酸或氫氣等多種氛圍下進行燒結。且適用于銅、金或銀等多種金屬界面,支持印刷或點膠工藝。實驗結果表明,其在裸銅上的連接強度優(yōu)于金銀等貴金屬鍍層。

銦泰公司專注于為功率模塊制造提供全方位的焊接與燒結材料解決方案。如果您想咨詢有關技術和銷售方面的問題,可以隨時通過文末的方式與我們取得聯(lián)系,我們將竭誠為您提供服務。